| 三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型 |
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| 引用本文： | 程元生,朱坤宝,夏瑞明,孙毅之.三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型[J].固体电子学研究与进展,1987(2). |
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| 作者姓名： | 程元生 朱坤宝 夏瑞明 孙毅之 |
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| 作者单位： | 常熟半导体器件厂
(程元生，朱坤宝，夏瑞明)，天津电子材料研究所(孙毅之) |
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| 摘 要： | 本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。
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The Area Contact Model of Depletion Layer Width Under Avalanche Breakdown in Si Epitaxial Wafer by a Three-Probe Method |
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| Abstract: | In this paper, the area contact model of depletion layer width under avalanche breakdown in Si epitaxial wafer by a three-probe method is analysed. The theory accords with experimental results. |
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