| InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究 |
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| 引用本文： | 孟宪权,程定军,胡明,张霞.InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究[J].武汉大学学报(理学版),2008,54(3):309-312. |
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| 作者姓名： | 孟宪权 程定军 胡明 张霞 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.
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| 关 键 词： | 量子点 光致发光 透射电子显微镜 浸润层 InAs AlAs GaAs 量子点激光器 光致发光 光谱研究 Study Spectra Photoluminescence 实验 半导体 光纤通讯 峰值波长 样品 室温 浸润层 结果 电子显微镜 透射电镜观察 发光光谱 |
| 文章编号： | 1671-8836(2008)03-0309-04 |
| 修稿时间： | 2007年11月24 |
Photoluminescence Spectra Study of InAs/AlAs/GaAs Quantum Dots |
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| MENG Xianquan,CHENG Dingjun,HU Ming,ZHANG Xia.Photoluminescence Spectra Study of InAs/AlAs/GaAs Quantum Dots[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2008,54(3):309-312. |
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| Authors: | MENG Xianquan CHENG Dingjun HU Ming ZHANG Xia |
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