| 蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究 |
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| 引用本文： | 王娟,刘玉岭,檀柏梅,李薇薇,周建伟,牛新环.蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究[J].微细加工技术,2005(4):65-68. |
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| 作者姓名： | 王娟 刘玉岭 檀柏梅 李薇薇 周建伟 牛新环 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 天津市重大攻关项目资助（043801211） |
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| 摘 要： | 为了提高蓝宝石化学机械抛光（CMP）效果，对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光，分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度，结果表明，采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料，既可以保证抛光速率，又能得到良好的表面状；当pH值在10～12时，可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率，从而提高抛光速率；在30℃时，能较好地平衡化学作用与机械作用，获得平滑表面；加入适量添加剂，可增大反应产物的体积，易于提高机械作用的效果，以获得较高的去除速率。
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| 关 键 词： | 蓝宝石 化学机械抛光 纳米硅溶胶 |
| 文章编号： | 1003-8213（2005）04-0065-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-20 |
| 修稿时间： | 2005-07-28 |
Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate |
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| WANG Juan,LIU Yu-ling,TAN Bai-mei,LI Wei-wei,ZHOU Jian-wei,NIU Xin-huan.Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate[J].Microfabrication Technology,2005(4):65-68. |
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| Authors: | WANG Juan LIU Yu-ling TAN Bai-mei LI Wei-wei ZHOU Jian-wei NIU Xin-huan |
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| Institution: | Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sapphire chemical mechanical polishing nano-SiO2 colloid |
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