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有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制
引用本文:张国仁,孙伯祥,陈郁文,肖建农.有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制[J].微电子技术,1995(4).
作者姓名:张国仁  孙伯祥  陈郁文  肖建农
作者单位:中国华晶电子集团公司材料工厂!无锡,214061
摘    要:本文经大量实验和多年工作实践,得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度,HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。

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