| 分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究 |
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| 引用本文： | 卢励吾,周洁,徐俊英,钟战天.分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究[J].物理学报,1993(1). |
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| 作者姓名： | 卢励吾 周洁 徐俊英 钟战天 |
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| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所，集成光电子学联合实验室半导体所实验区，表面物理国家重点实验室 北京 100083，北京 100083，北京 100083 中国科学院半导体研究所，北京 100083，北京 100080 中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
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