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| 论掺铜GaAs中受主络合物和束缚激子 | |
| 引用本文： | 王占国,H.P.Gislason,B.Monemar.论掺铜GaAs中受主络合物和束缚激子[J].红外与毫米波学报,1984,3(4). |
| 作者姓名： | 王占国 H.P.Gislason B.Monemar |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (王占国)，瑞典Linkping大学物理和测量技术系 (H.P.Gislason)，瑞典Linkping大学物理和测量技术系(B.Monemar) |
| 摘 要： | 本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.4832eV)等)的行为进行了全面、系统的研究,并对前人的结果做了评述。首次报道了扩铜条件及其扩铜后的淬火过程和热处理条件对PL谱线的影响,其主要结果如下:(1)在Ga-GaAs溶液中扩铜,仅能观察到 |
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