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| 氧、碳杂质对B1结构氮化钒薄膜的Tc和电阻率ρ(T)的影响 | |
| 引用本文： | 赵柏儒,史引焕,赵玉英,高炬,李林.氧、碳杂质对B1结构氮化钒薄膜的Tc和电阻率ρ(T)的影响[J].低温物理学报,1987(1). |
| 作者姓名： | 赵柏儒 史引焕 赵玉英 高炬 李林 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院北京真空物理实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院北京真空物理实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院北京真空物理实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院北京真空物理实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院北京真空物理实验室 北京，北京，北京，北京，北京 |
| 摘 要： | 我们对几种典型的溅射B1结构VN_x薄膜进行了T_c和电阻率ρ(T)的测量(从Tconset到300K)。以X-射线衍射术、Auger和XPS技术对这些样品进行了分析。实验结果表明,T_c和ρ(T)随膜的厚度和膜中所含氧、碳等杂质而变化。我们认为,氧在膜中所起的作用可能是阻碍VN_x的B_1结构的形成,造成结构中多空位的情况,压低T_c,并导致电子的跳跃式导电。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |