氧、碳杂质对B1结构氮化钒薄膜的Tc和电阻率ρ(T)的影响 |
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作者姓名: | 赵柏儒 史引焕 赵玉英 高炬 李林 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所,中国科学院北京真空物理实验室,中国科学院物理研究所,中国科学院北京真空物理实验室,中国科学院物理研究所,中国科学院北京真空物理实验室,中国科学院物理研究所,中国科学院北京真空物理实验室,中国科学院物理研究所,中国科学院北京真空物理实验室 北京,北京,北京,北京,北京 |
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摘 要: | 我们对几种典型的溅射B1结构VN_x薄膜进行了T_c和电阻率ρ(T)的测量(从Tconset到300K)。以X-射线衍射术、Auger和XPS技术对这些样品进行了分析。实验结果表明,T_c和ρ(T)随膜的厚度和膜中所含氧、碳等杂质而变化。我们认为,氧在膜中所起的作用可能是阻碍VN_x的B_1结构的形成,造成结构中多空位的情况,压低T_c,并导致电子的跳跃式导电。
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