| 羟基氧化镓菱形截面棒状粉体的制备与表征 |
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| 引用本文： | 林祖伟,曾凯,汪亮,胡善,刘世兴,黄小光,陈曙光.羟基氧化镓菱形截面棒状粉体的制备与表征[J].甘肃科技,2011,27(12):50-52. |
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| 作者姓名： | 林祖伟 曾凯 汪亮 胡善 刘世兴 黄小光 陈曙光 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙,410114 |
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| 基金项目： | 2010年“大学生研究性学习与创新性实验计划项目”湖南省级立项项目，湖南省重点学科预备学科长沙理工大学重点学科(材料学学科)建设项目资助 |
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| 摘 要： | 用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓（GaOOH）菱形截面棒状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表明：GaOOH粉体表现为分散性较好的短棒状,长度分布在2~4μm,绝大多数粉体的长径比为4左右;菱形截面是由{110}晶面族的（110）、（1-1 0）、（-1 1 0）以及（-1-1 0）四个等效晶面分别沿着-4 1 0]、-4-1 0]、410]和4-1 0]晶体学方向均匀长大而成。
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| 关 键 词： | 羟基氧化镓 菱形截面 晶体生长 |
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