| 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动 |
| |
| 引用本文： | 杨伟,梁继然,刘剑,姬扬.在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动[J].物理学报,2014,63(10):107104-107104. |
| |
| 作者姓名： | 杨伟 梁继然 刘剑 姬扬 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083;2. 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB922304);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61101055);极化材料与器件教育部重点实验室基金(批准号:KFKT20130002)资助的课题~~ |
| |
| 摘 要： | 在可见光—近红外波段的不同波长下,测量了半导体-金属相变过程中氧化钒薄膜样品的反射率和透射率.在薄膜相变过程中,不同波段的反射率曲线和透射率曲线表现出不同的变化趋势.利用非相干光在薄膜中的多级反射-透射模型,计算了相变过程中不同波长下氧化钒薄膜的折射率n和消光系数k随温度的变化.结果表明,在相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动,其原因既有薄膜的折射率和消光系数随波长的变化趋势不同,也有在吸收性薄膜中存在探测光多次反射和透射的累加效应.
|
| 关 键 词： | 氧化钒薄膜 半导体-金属相变 多级反射-透射模型 |
| 收稿时间： | 2013-12-11 |
Abnormal variation of optical properties of vanadium oxide thin film at semiconductor-metal transition |
| |
| Yang Wei,Liang Ji-Ran,Liu Jian,Ji Yang.Abnormal variation of optical properties of vanadium oxide thin film at semiconductor-metal transition[J].Acta Physica Sinica,2014,63(10):107104-107104. |
| |
| Authors: | Yang Wei Liang Ji-Ran Liu Jian Ji Yang |
| |
| Abstract: | The optical properties of vanadium oxide thin film are measured at semiconductor-metal transition, including reflectance and transmittance results at different wavelengths which show different trends during the phase transition. With a multi-level reflection-transmission model of incoherent light, we calculate the values of refractive index n and extinction coefficient k at different wavelengths, and show that the abnormal optical properties result not only from the dependences of n and k on the wavelength, but also from multiple reflections in the absorbing film.
Keywords：
vanadium oxide thin film
semiconductor-metal transition
multi-level reflection-transmission model |
| |
| Keywords: | vanadium oxide thin film semiconductor-metal transition multi-level reflection-transmission model |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
