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| 深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计 | |
| 引用本文： | 孙自敏,刘理天,李志坚.深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计[J].半导体学报,1998,19(11):851-856. |
| 作者姓名： | 孙自敏 刘理天 李志坚 |
| 摘 要： | 本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构 |
| 关 键 词： | PESD MOSFET 深亚微米 优化设计 |
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