| 中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响 |
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| 引用本文： | 徐庆君,庄申栋.中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响[J].激光与红外,2011,41(12):1359-1363. |
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| 作者姓名： | 徐庆君 庄申栋 |
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| 作者单位： | 枣庄学院光电工程学院,山东枣庄,277160 |
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| 基金项目： | 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金项目（No.2008BS01021）;枣庄市科技攻关计划项目（No.201031-2）;2008年枣庄学院科技计划项目资助 |
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| 摘 要： | 基于Mie散射理论，对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析，得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征，揭示了入射波长、基质折射率与散射强度分布的内在规律。研究结果为该材料在中红外区的开发和应用提供了理论依据。
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| 关 键 词： | 反常色散 正常色散 Mie散射 散射强度 SiC |
Influence of mediums' refractive index on scattering intensity of SiC particle in middle infrared region |
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| XU Qing-jun,ZHUANG Shen-dong.Influence of mediums' refractive index on scattering intensity of SiC particle in middle infrared region[J].Laser & Infrared,2011,41(12):1359-1363. |
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| Authors: | XU Qing-jun ZHUANG Shen-dong |
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| Institution: | College of Opto-electronic Engineering,Zaozhuang Univeristy,Zaozhuang 277160,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | abnormal dispersion normal dispersion Mie scattering scattering intensity SiC |
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