| 基于STFOD结构的IC全芯片保护 |
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| 引用本文： | 古妮娜,郝跃,李儒章,朱志炜,谢孟贤,杨卫东.基于STFOD结构的IC全芯片保护[J].微电子学,2007,37(3):358-363. |
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| 作者姓名： | 古妮娜 郝跃 李儒章 朱志炜 谢孟贤 杨卫东 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
2. 模拟集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在具有输入、输出静电保护的集成电路中,往往会出现非正常的静电损伤。这是由电源与地之间的静电压以及管脚之间的静电压通过内部电源线的放电而引起的。这种静电损伤给芯片的制造和使用带来了很大的困难。在基于传输诊测电路的电源到地NMOS ESD保护结构的基础上,设计了基于衬底触发场氧器件(STFOD)结构的箝位电路和版图,使芯片的静电等级得到大幅提高。
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| 关 键 词： | 静电保护 传输诊测 衬底触发场氧器件 箝位电路 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）03-0358-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-282007-04-05 |
ESD Protection of IC Chips Based on STFOD |
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| GU Ni-na,HAO Yue,LI Ru-zhang,ZHU Zhi-wei,XIE Meng-xian,YANG Wei-dong.ESD Protection of IC Chips Based on STFOD[J].Microelectronics,2007,37(3):358-363. |
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| Authors: | GU Ni-na HAO Yue LI Ru-zhang ZHU Zhi-wei XIE Meng-xian YANG Wei-dong |
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| Abstract: | Based on the analysis on ESD paths and the VDD-VSS clamp circuits,a better implementation based on substrate triggered field oxide device(STFOD) is designed to provide an efficient low-impedance path between VDD and VSS power lines under ESD-stress.And a series of layout rules to improve the ESD robustness is discussed in particular. |
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| Keywords: | ESD protection Transient detection Substrate triggered field oxide device Clamp circuit |
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