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超辐射发光二极管抗反射膜的设计
引用本文:张一文,王品红,廖柯. 超辐射发光二极管抗反射膜的设计[J]. 光学与光电技术, 2005, 3(6): 32-34
作者姓名:张一文  王品红  廖柯
作者单位:1. 重庆邮电学院光电学院,重庆,400065
2. 重庆光电技术研究所,重庆,400060
摘    要:分析了设计超辐射发光二极管抗反射膜的光导纳法,介绍了有效折射率的概念。选用TiO2和SiO2两种材料给出了中心波长为850 nm时的设计实例。结果表明设计时要考虑有效折射率,才能获得好的性能。

关 键 词:超辐射发光二极管  抗反射膜  光导纳法  有效折射率
文章编号:1672-3392(2005)06-0032-03
收稿时间:2005-07-26
修稿时间:2005-09-27

Design of Antireflection Coating for Superluminescent Diodes
ZHANG Yi-wen,WANG Pin-hong,LIAO-Ke. Design of Antireflection Coating for Superluminescent Diodes[J]. optics&optoelectronic technology, 2005, 3(6): 32-34
Authors:ZHANG Yi-wen  WANG Pin-hong  LIAO-Ke
Abstract:The optical admittance approach to design antireflection coatings of superluminescent diodes is described and effective refractive index is introduced.A design example is given for the center-wavelength of 850nm by choosing TiO2 and SiO2,and the result shows that effective refractive index must be considered while designing in order to achieve good performance.
Keywords:superluminescent diodes  antireflection coatings  optical admittance approach  effective refractive index
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