| Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究 |
| |
| 引用本文： | 翟光杰,杨建树,陈显邦,王学森.Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究[J].物理学报,2000,49(2). |
| |
| 作者姓名： | 翟光杰 杨建树 陈显邦 王学森 |
| |
| 作者单位： | 香港科技大学物理系,香港九龙清水湾 |
| |
| 基金项目： | 香港研究资助局资助项目 |
| |
| 摘 要： | 利用扫描隧道显微镜(STM)对Si(111)在氨气气氛下进行氮化所获得的氮化硅薄膜形貌和表面结构进行了系统分析,结果表明在1075-1275 K的温度下对Si(111)进行氮化可以获得较平整的晶态β-Si3N4薄膜,并在氮化膜表面观察到了Si3N4(0001)表面的(4×4)再构.
|
STM STUDIES OF SILICON NITRIDE FILMS GROWN ON Si(111) BY EXPOSING TO NH3 |
| |
| ZHAI GUANG-JIE,YANG JIAN-SHU,NELSON CUE,WANG XUE-SEN.STM STUDIES OF SILICON NITRIDE FILMS GROWN ON Si(111) BY EXPOSING TO NH3[J].Acta Physica Sinica,2000,49(2). |
| |
| Authors: | ZHAI GUANG-JIE YANG JIAN-SHU NELSON CUE WANG XUE-SEN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
