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| n型硅中铂和钯的电学性质 | |
| 引用本文： | 孙恒慧,盛篪,陈巧珍,冯冠华,袁瑞舜.n型硅中铂和钯的电学性质[J].半导体学报,1981,2(2):107-116. |
| 作者姓名： | 孙恒慧 盛篪 陈巧珍 冯冠华 袁瑞舜 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 (孙恒慧，盛篪，陈巧珍)，上海无线电四十一厂 (冯冠华)，上海无线电四十一厂(袁瑞舜) |
| 摘 要： | 本文用瞬态电容、热激电容和热激电流方法测量n型硅中铂和钯的电学性质.n型硅中铂的二个能级是E_c-0.22eV和E_c-0.30eV.掺钯的n型硅中亦存在二个能级为E_c-0.23eV和 E_c-0.29eV.第二个深能级 E_c-0.29eV由于它的位置和浓度与高温淬火引起的能级相仿,所以这一能级的起因尚需进一步研究. |
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