|
|||||
|
|
| 一维介观结链中电荷孤子的控制 | |
| 引用本文： | 郑小宏,匡乐满,曾朝阳. 一维介观结链中电荷孤子的控制[J]. 物理学报, 2002, 51(2): 377-381 |
| 作者姓名： | 郑小宏 匡乐满 曾朝阳 |
| 作者单位： | (1)湖南师范大学物理系,长沙410081; (2)湖南师范大学物理系,长沙410081;中国科学院固体物理研究所,合肥230031 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 98730 15 )资助的课题 |
| 摘 要： | 研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制.关键词：电荷孤子介观结单电荷隧穿 |
| 关 键 词： | 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿 |
| 收稿时间： | 2001-01-13 |
| 修稿时间： | 2001-01-13 |
Controlling of charge solitons in a one-dimensional tunnel junction array |
|
| Abstract: | The dependence of potential distribution on gate voltages and the electron number distribution in a one-dimensional tunnel junction array is investigated. We find that biasing a gate will excite a static potential soliton similar to a charge soliton. By changing the gate voltage, one can adjust the profile and position of the static potential soliton and then have an effective control of charge solitons. |
| Keywords: | charge soliton mesoscopic junction single charge tunneling |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |