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| 电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺 | |
| 作者姓名： | 陆晓曼 张继成 吴卫东 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;四川大学,原子与分子研究所,成都,610065;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;四川大学,物理科学与工程学院,成都,610065;四川大学,原子与分子研究所,成都,610065 |
| 基金项目： | 中国物理研究院科研项目 |
| 摘 要： | 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件，研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响，并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明：在相同条件下，刻蚀速率随刻蚀时间变化不大；a:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时，刻蚀速率相同；流量一定时，刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低，当用纯氩气时，几乎没刻蚀作用；刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中，得到最佳刻蚀条件是：纯氧气，流量4 mL·s-1，工作气压9.9×10-2 Pa，微波源电流80 mA，偏压-90 V。 |
| 关 键 词： | 离子刻蚀 电子回旋共振微波等离子体 α:CH薄膜 微齿轮 |
| 文章编号： | 1001-4322(2008)04-0683-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-29 |
| 修稿时间： | 2007-08-29 |
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