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| 1.78 μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器 | |
| 作者姓名： | 王书荣 王辉 王宝军 朱洪亮 张靖 丁颖 赵玲娟 周帆 王鲁峰 王圩 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京,100083;云南师范大学太阳能研究所,云南,昆明,650092;香港中文大学电子工程系,新界沙田,香港;中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京,100083 |
| 基金项目： | SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60 1 760 2 3) |
| 摘 要： | 采用低金属有机汽相外延(LP-MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区，研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器，对于解理腔长为900μm的激光器，室温时其激射的阈值电流为33mA，最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8mW和7％；此外，激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5dB。 |
| 关 键 词： | 低压金属有机汽相外延(LP-MOVPE) 压应变InGaAs量子阱 脊波导分布反馈(DFB)激光器 |
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