| 硅（Si）原子高激发态能级自然辐射寿命的测量 |
| |
| 引用本文： | 王兴豪,于 启,耿一丹,戴振文. 硅（Si）原子高激发态能级自然辐射寿命的测量[J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37(6): 814-818 |
| |
| 作者姓名： | 王兴豪 于 启 耿一丹 戴振文 |
| |
| 作者单位： | 东华理工大学 理学院，南昌330013,东华理工大学 理学院，南昌330013,吉林大学 物理学院，长春130012,吉林大学 物理学院，长春130012 |
| |
| 摘 要： | 能级的自然辐射寿命是确定跃迁几率和振子强度所需的重要参数. 目前，硅原子高激发态能级自然辐射参数的实验数据还很缺乏，因此本文运用时间分辨激光诱导荧光和激光烧蚀等离子体技术，测量了硅原子位于47351.55 ~ 63844.65 cm?1之间的14个高激发态能级的自然辐射寿命. 实验结果分布在8.7 ~ 43.4 ns之间，测量误差均小于10%，其中9个能级的结果属于首次报道. 本文结果与可靠的分支比数据相结合可确定相关能级的跃迁几率和振子强度实验值.
|
| 关 键 词： | 硅原子；自然辐射寿命；时间分辨激光诱导荧光 |
| 收稿时间： | 2020-06-30 |
Measurements on radiative lifetimes of highly excited levels in Si I |
| |
| WANG Xing-Hao,YU Qi,GENG Yi-Dan and DAI Zhen-Wen. Measurements on radiative lifetimes of highly excited levels in Si I[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2020, 37(6): 814-818 |
| |
| Authors: | WANG Xing-Hao YU Qi GENG Yi-Dan DAI Zhen-Wen |
| |
| Affiliation: | School of Science, East China University of Technology, Nanchang 330013, China,School of Science, East China University of Technology, Nanchang 330013, China,College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China and College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
