含痕量Pr~(3 )和Tb~(3 )的Y_2O_2S中Eu~(3 )发光的敏化

作者研究了在紫外(uv)和阴极射线(cr)激发下,共掺杂Pr~(3 )和/或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu磷光体发光强度的提高。Pr~(3 )或Tb~(3 )的适当浓度为10~(-4)～10~(-3)原子％,在加速电压为10KV,电流密度为1μA/cm~2的激发条件下,亮度提高超过50％。在254nm光激发下仅提高10％。未掺杂Pr~(3 )或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu~(3 )的阴极射线发光强度随束电压的增加而饱和,共掺杂了Pr~(3 )或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu的阴极射线发光强度随束电压的升高而线性增加。对束电压依赖关系的这个差别可用下列假设来解释:Pr~(3 )或Tb~(3 )有效地俘获载流子,以致抑制了在能量漏损处载流子的消失效应,这种效应是引起发光强度饱和的原因。本文还讨论了用紫外激发敏化Eu~(3 )的电荷转移态而产生载流子的作用,这种作用可由Y_2O_2S:Eu陶瓷的光电导激发光谱来说明。