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多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析
作者姓名:
王启宝
摘 要:
本语文以稻壳为原料,对非金属催化剂合成的多节状SiC晶须进行了研究,运用TEM、XRD等分析检测技术,对SiCw的形貌及显微结构进行了分析。研究表明:SiCw 直晶为主,表现粗糙、呈多节状;晶面以β-SiC为主要晶型,少量α-SiC孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外,机理研究表明,多主SiCw为VS生长机理。
关 键 词:
碳化硅晶须 晶体缺陷 晶体生长 VS生长机理
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