| 直拉硅中氧沉淀的TEM研究 |
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| 引用本文： | 徐进,杨德仁,马向阳,阙端麟.直拉硅中氧沉淀的TEM研究[J].半导体技术,2002,27(3):25-28. |
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| 作者姓名： | 徐进 杨德仁 马向阳 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027 |
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| 摘 要： | 论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进行了讨论.
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| 关 键 词： | 氧沉淀形态:透射电镜 动力学 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)03-0025-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月24日 |
TEM investigation of oxygen precipitates in czochralski silicon |
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| XU Jin,YANG De-ren,MA Xiang-yang,QUE Duan-lin.TEM investigation of oxygen precipitates in czochralski silicon[J].Semiconductor Technology,2002,27(3):25-28. |
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| Authors: | XU Jin YANG De-ren MA Xiang-yang QUE Duan-lin |
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| Abstract: | In this paper, the dependence of oxygen precipitate morphology studied by means ofTEM on the temperature and time of heat treatments has been reviewed. The kinetics of the oxygenprecipitate growth, the existed problem and its prospect are also discussed. |
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| Keywords: | oxygen precipitate morphology TEM kinetics |
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