三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱 |
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引用本文: | 高玉琳,吕毅军,郑健生,李志锋,蔡炜颖,王晓光. 三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱[J]. 发光学报, 2001, 22(2): 107-110 |
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作者姓名: | 高玉琳 吕毅军 郑健生 李志锋 蔡炜颖 王晓光 |
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作者单位: | 1. 厦门大学物理系, 2. 中国科学院上海技术物理研究所, |
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基金项目: | 国家自然科学基金(69776011);福建省自然科学基金;上海技术物理所红外物理国家重点实验室基金资助项目 |
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摘 要: | 采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中,除观测到二级Raman散射峰LO1+LO2以外,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷b/a的分析表明,随着晶格有序度的增加,b/a值减小。这是因为:一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的,另一方面,还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。
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关 键 词: | Ⅲ-Ⅴ族半导体 喇曼散射谱 有序度 |
文章编号: | 1000-7032(2001)02-0107-04 |
修稿时间: | 2000-05-30 |
Raman Spectra of GaxIn1-xP(x =0.52) |
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Abstract: | |
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