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低噪声CMOS图像传感器的重点专利分析
引用本文:杨燕,陆然,武建刚,裴亚芳,张思秘. 低噪声CMOS图像传感器的重点专利分析[J]. 电视技术, 2013, 37(Z2)
作者姓名:杨燕  陆然  武建刚  裴亚芳  张思秘
作者单位:国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心,北京,100190
摘    要:随着大规模集成电路设计和信号处理技术的提高,CMOS图像传感器日益受到重视,成为固态图像传感器的研究热点,但是噪声仍是制约CMOS图像传感器发展的重要因素之一.针对低噪声的CMOS图像传感器技术领域的专利文献,给出了该领域主要申请人的申请量分布图,并对该领域的重要专利进行分析,介绍了前5位重要专利的技术特点.

关 键 词:固态图像传感器  CMOS  低噪声

Key Patent Analysis of Low Noise CMOS Image Sensor
YANG Yan , LU Ran , WU Jiangang , PEI Yafang , ZHANG Simi. Key Patent Analysis of Low Noise CMOS Image Sensor[J]. Ideo Engineering, 2013, 37(Z2)
Authors:YANG Yan    LU Ran    WU Jiangang    PEI Yafang    ZHANG Simi
Abstract:
Keywords:solid-state image sensor  CMOS  low noise
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