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阈上电离过程中光电子角分布的精细结构
引用本文:张敬涛,张文琦,徐至展.阈上电离过程中光电子角分布的精细结构[J].光学学报,2002,22(5).
作者姓名:张敬涛  张文琦  徐至展
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放研究实验室,上海,201800
基金项目:国家自然科学基金 (6 0 10 80 0 2 ),重点基础研究专项经费资助课题
摘    要:应用非微扰散射理论并考虑自发辐射 ,研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响 ,电子的角分布具有精细结构 ,成功地解释了Nandor等人的实验观测。

关 键 词:阈上电离  角分布  精细结构  自发辐射

Fine Structures in Angular Distribution of Above-Threshold Ionization
Zhang Jingtao,Zhang Wenqi,Xu Zhizhan.Fine Structures in Angular Distribution of Above-Threshold Ionization[J].Acta Optica Sinica,2002,22(5).
Authors:Zhang Jingtao  Zhang Wenqi  Xu Zhizhan
Abstract:Using the nonperturbative scattering theory developed for multiphoton ionization with the inclusion of spontaneous emission, the angular differential rates for above-threshold ionization (ATI) are obtained. Besides the main lobe structure, our numerical calculations reproduce the fine structures in the angular distribution of ATI peaks observed by Nandor et al.. The fine structures are attributed to the spontaneous emissions when the photoelectron exits the laser field.
Keywords:above threshold ionization  angular distribution  fine structures  spontaneous  emission
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