| 纳米结构的硅绝缘材料(SOI)波导 |
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| 引用本文： | 张舜元,史保森,郭光灿.纳米结构的硅绝缘材料(SOI)波导[J].量子光学学报,2008,14(1):87-92. |
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| 作者姓名： | 张舜元 史保森 郭光灿 |
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| 作者单位： | 中国科大中科院量子信息重点实验室,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 介绍在纳米(亚微米)量级上的硅波导,包括其结构,性质,和与普通石英光纤相比的优点.再介绍在硅波导内的非线性光学过程(拉曼效应,四波混频,波长转换效应等),以及这些效应所带来的在光器件和技术上的进步.最后总结nm量级上的硅波导的研究现状以及发展潜力.
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| 关 键 词： | 硅绝缘材料(SOI) 拉曼效应 四波混频(FWM) 群速度色散(GVD) |
| 文章编号： | 1007-6654（2008）01-0087-06 |
| 收稿时间： | 2007-04-20 |
| 修稿时间： | 2007年4月20日 |
Nanoscale Silicon-On-Insulator (SOI) Waveguides |
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| ZHANG Shun-yuan,SHI Bao-sen,GUO Guang-can.Nanoscale Silicon-On-Insulator (SOI) Waveguides[J].Acta Sinica Quantum Optica,2008,14(1):87-92. |
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| Authors: | ZHANG Shun-yuan SHI Bao-sen GUO Guang-can |
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| Abstract: | |
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