| 氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线 |
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| 引用本文： | 李红,薛成山,庄惠照,张晓凯,陈金华,杨兆柱,秦丽霞.氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线[J].微细加工技术,2007(5):31-33,51. |
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| 作者姓名： | 李红 薛成山 庄惠照 张晓凯 陈金华 杨兆柱 秦丽霞 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8 μm左右.室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰.
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| 关 键 词： | 氮化镓 磁控溅射 纳米线 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)05-0031-03 |
| 修稿时间： | 2007年6月20日 |
Synthesis of GaN Nanowires Prepared by Ammoniating Ga2O3/Ta Films on Si Substrate |
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| LI Hong,XUE Cheng-shan,ZHUANG Hui-zhao,ZHANG Xiao-kai,CHEN Jin-hua,YANG Zhao-zhu,QIN Li-xia.Synthesis of GaN Nanowires Prepared by Ammoniating Ga2O3/Ta Films on Si Substrate[J].Microfabrication Technology,2007(5):31-33,51. |
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| Authors: | LI Hong XUE Cheng-shan ZHUANG Hui-zhao ZHANG Xiao-kai CHEN Jin-hua YANG Zhao-zhu QIN Li-xia |
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