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| 14.7MeV中子引起232Th裂变的电荷分布:Rh、Ag、In和Sb同位素的独立产额 | |
| 作者姓名： | 李文新 孙彤玉 孙秀华 付民 董天荣 郑蔓艽 |
| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所 兰州 |
| 摘 要： | 使用核化学技术测定了14.7MeV中子引起的232Th裂变中对称区7个核素的独立产额和12个核素的累积产额. 根据这些独立产额以及我们以前在14MeV中子引起的232Th裂变中测定的独立产额, 宽度常数σ=0.56的高斯电荷分布函数计算了相应的经验最可几电荷Zp值. 由质量分布不对称区的全部Zp值计算的电荷迁移平均值ΔZ(=Zp—ZUCD)为0.49±0.25, 与低能裂变的一般研究结果相一致. 接近对称区产物的独立产额的测定结果与预期值不相符. 对称分裂反常大的ΔZ值似乎表明对称区的电荷分布宽度比通常可以接受的0.56更大. 实验结果支持两种方式裂变的假设. |
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