| 退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 谢和平,张树人,杨成韬,张洪伟,杨艳.退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响[J].压电与声光,2008,30(1):87-89. |
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| 作者姓名： | 谢和平 张树人 杨成韬 张洪伟 杨艳 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高c轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明,ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,衍射峰强度增强,峰位随之偏移;SEM分析显示薄膜呈柱状生长,表现出较好的c轴取向性;TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长,晶格匹配很好。
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| 关 键 词： | 快速热退火 ZnO薄膜 c轴取向 透射电镜(TEM) |
| 文章编号： | 1004-2474（2008）01-0087-08 |
| 收稿时间： | 2006-09-26 |
| 修稿时间： | 2006年9月26日 |
Influence of Postdeposition Annealing on the Properties of ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| XIE He-ping,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,ZHANG Hong-wei,YANG Yan.Influence of Postdeposition Annealing on the Properties of ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2008,30(1):87-89. |
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| Authors: | XIE He-ping ZHANG Shu-ren YANG Cheng-tao ZHANG Hong-wei YANG Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rapid thermal annealing ZnO thin film c-axis orientation TEM |
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