| 半导体硅中电化学注锂的研究 |
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| 引用本文： | 彭瑞伍,丁永庆,李季龙. 半导体硅中电化学注锂的研究[J]. 化学学报, 1984, 42(2): 125-129 |
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| 作者姓名： | 彭瑞伍 丁永庆 李季龙 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | 在室温和非水溶液中用电化学法向p-Si中注入锂。借循环伏安法和i-t曲线观察锂在硅表面的析出和溶出过程。结果表明,锂的注入过程受锂在硅表面层中的扩散和外场所控制,因此可以用场制扩散方程式描述,SIMS法测得的锂的纵向浓度分布证实了上述看法。
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| 关 键 词： | 硅 半导体材料 掺杂 锂 电化学过程 |
A study of electrochemical incorporation of Li into semiconductor Si |
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| PENG RUIWU,DING YONGQING,LI JILONG. A study of electrochemical incorporation of Li into semiconductor Si[J]. Acta Chimica Sinica, 1984, 42(2): 125-129 |
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| Authors: | PENG RUIWU DING YONGQING LI JILONG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SILICON SEMICONDUCTOR MATERIAL DOPE LITHIUM ELECTROCHEMICAL PROCESS |
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