| 三明治结构电子阻挡层中势阱深度对LED性能的影响 |
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| 引用本文： | 章敏杰,梅霆,王乃印,朱凝,王达飞,李浩,文洁.三明治结构电子阻挡层中势阱深度对LED性能的影响[J].发光学报,2013(10):1367-1372. |
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| 作者姓名： | 章敏杰 梅霆 王乃印 朱凝 王达飞 李浩 文洁 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳功能材料与器件重点实验室;中山大学光电子材料与技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176085);广东省科技厅项目(2012Y-00001);广东省教育厅项目(gjhz1103);广州市科技局项目(2010U1-D00131);中山大学光电子材料与技术国家重点实验室开放课题(2012M511827);广东省教育厅育苗工程(LYM11048)资助项目 |
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| 摘 要： | 在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-Al x Ga1-x N-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层Al x Ga1-x N的Al组分"x")的变化对LED性能带来的影响。研究发现,具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED具有更好的发光特性,并且其性能与电子阻挡层中的势阱深度密切相关。究其原因,一是由于电子阻挡层内部不同程度的晶格失配而引入的极化电场引起了电子阻挡层的有效势垒高度的不同;二是在于电子阻挡层中的势阱所产生的空穴聚集效应也会随着势阱深度的变化而变化。故而使得空穴注入效率和电子阻挡层对电子的限制作用在不同势阱深度的LED样品中有所不同。
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| 关 键 词： | 发光二极管 插入势阱 电子阻挡层 |
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