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| 量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响（英文） | |
| 作者姓名： | 陈贵楚 范广涵 |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所;肇庆学院物理系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(61176043)资助 |
| 摘 要： | 理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。 |
| 关 键 词： | InGaN LED 电路模型 上升时间 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |