| n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究 |
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| 引用本文： | 刘大猛,连贵君,熊光成.n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究[J].低温物理学报,2004,26(4):358-363. |
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| 作者姓名： | 刘大猛 连贵君 熊光成 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院,北京,100871;北京大学物理学院,北京,100871;北京大学物理学院,北京,100871 |
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| 摘 要： | 利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体/金属二极管有很多不同.利用对数据拟合的结果,我们讨论了与理想半导体模型的差别.在Nb-STO作为新的氧化物半导体材料被引入器件时,偏离理想的半导体模型应该是正常的.
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| 关 键 词： | 氧化物半导体/金属异质结 Schottky势垒 耗尽层模型 |
| 修稿时间： | 2004年4月12日 |
THE n-TYPE METAL-SEMICONDUCTOR In/Nb-SrTiO3 SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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