| Ga2O3薄膜的光致发光及激光烧蚀产物的分布 |
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| 引用本文： | 唐永新,杨新菊,秦启宗. Ga2O3薄膜的光致发光及激光烧蚀产物的分布[J]. 化学物理学报, 2000, 13(1): 25-30 |
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| 作者姓名： | 唐永新 杨新菊 秦启宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学激光化学研究所 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术在氧气氛中制备了Ｃａ２Ｏ３薄膜，Ｘ射线衍射表明薄膜属于β单斜晶系，薄膜的颗粒在纳米量级；原子力显微镜显示随着氧气压强的增加，薄膜颗粒增大，测定了薄膜的光致发光，发现沉积时氧气压强的增加可以提高纯Ｇａ２Ｏ３薄膜的发光强度，且峰位红移，Ｇａ２Ｏ３靶物质中掺杂少量的ＣｅＯ２后所得到的薄膜，其发光强度可以明显地增加，此外，还利用发光光谱技术研究了由激光烧蚀所产生的羽状物中Ｇａ原子或离
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| 关 键 词： | 光致发光 薄膜 脉冲激光沉积 三氧化二镓 |
| 收稿时间： | 1999-02-28 |
Photoluminescence of Ga2O3 Thin Film and Characterization of Laser Ablated Species |
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| Tang Yongxin,Yang Xinju and Qin Qizong. Photoluminescence of Ga2O3 Thin Film and Characterization of Laser Ablated Species[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2000, 13(1): 25-30 |
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| Authors: | Tang Yongxin Yang Xinju Qin Qizong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photoluminescence Pulsed laser deposition Thin film Ga2O3 |
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