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| 掺钕铌酸锂晶体光折变效应的研究 | |
| 作者姓名： | 李铭华 赵业权 等 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨 150006，哈尔滨 150006，哈尔滨 150006，哈尔滨 150006，哈尔滨 150006 |
| 摘 要： | 钕掺杂的铌酸锂Nd:LiNbO_3(以下简写为Nd:LN)晶体是光折变晶体,以Nd:LN为基,分别掺入MgO和CeO_2,生长出Nd,Mg:LN和Nd,Ce:LN晶体。其中Nd,Mg:LN晶体的光折变阈值比Nd:LN提高了二个数量级,抗光损伤能力增强,可作为自倍频激光介质。Nd,Ce:LN晶体的光折变灵敏度比Nd:LN晶体提高了一个数量级,非线性光学性能好。通过光折变阈值和光电导的测量和研究,对钛掺杂的铌酸锂晶体光折变产生的机理,以及Mg和Ce离子在其中的影响作用进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 光折变效应 钕铌酸锂 晶体 掺杂 |
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