| 半导体量子器件物理讲座第三讲 异质结双极晶体管（HBT） |
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| 引用本文： | 王良臣.半导体量子器件物理讲座第三讲 异质结双极晶体管（HBT）[J].物理,2001,30(6):372-379. |
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| 作者姓名： | 王良臣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管（HBT）在材料结构参数上的差异，这种差异表明，在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步到了能带工程设计，和同质结双极晶体管相比，HBT具有更优越的性能，接着介绍了HBT的工作原理，典型的材料结构及器件的制作。
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| 关 键 词： | 能带工程 掺杂 制作 异质结双极晶体管 MBE 半导体量子器件 材料结构 |
| 修稿时间： | 2000年6月20日 |
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS |
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| WANG Liang Chen.HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS[J].Physics,2001,30(6):372-379. |
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| Authors: | WANG Liang Chen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HBT band engineering design |
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