| 基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延 |
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| 引用本文： | 赵暕,陈涌海,王占国,徐波.基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延[J].半导体学报,2008,29(10):2003-2008. |
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| 作者姓名： | 赵暕 陈涌海 王占国 徐波 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 973计划项目（2006CB604908）自然科学基金项目（60625402） |
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| 摘 要： | 液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术，而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果. 作者在GaAs μm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长，并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果，分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.
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| 关 键 词： | 液滴外延 图形衬底}量子点 量子环 分布规律 |
| 收稿时间： | 4/2/2008 3:30:34 PM |
Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Quantum Rings by Droplet Epitaxy Based on Patterned Substrate |
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| Zhao Jian,Chen Yonghai,Wang Zhanguo and Xu Bo.Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Quantum Rings by Droplet Epitaxy Based on Patterned Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):2003-2008. |
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| Authors: | Zhao Jian Chen Yonghai Wang Zhanguo and Xu Bo |
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| Institution: | Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | droplet epitaxy patterned substrate quantum dot quantum ring distribution behavior |
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