| 一种NMOS四值静态存贮单元的设计 |
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| 引用本文： | 张钟宣,陈大同,唐政.一种NMOS四值静态存贮单元的设计[J].固体电子学研究与进展,1988(4). |
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| 作者姓名： | 张钟宣 陈大同 唐政 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所
(张钟宣，陈大同)，清华大学微电子学研究所(唐政) |
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| 摘 要： | <正> 一、引言 多值存贮器,尤其是用多值单元电路构成的多值存贮器是该领域需要研究的课题之一,其应用前景甚至超过了单纯多值电路的范围。关于多值ROM单元及由动态结构组成的多值存贮器已有一些报导,本文提出一种NMOS四值静态存贮单元电路。
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Design of a NMOS Quadra-Valued Static Random-Access-Memory Cell |
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| Abstract: | In the paper, a new 6-transistor quadra-valued static random access memory cell is proposed. Analysis and SPICE simulation are given with good results. |
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