|
|||||
|
|
| 集成电路中的物理问题讲座——第八讲 MOS物理基础 | |
| 引用本文： | 史常忻.集成电路中的物理问题讲座——第八讲 MOS物理基础[J].物理,1985(11). |
| 作者姓名： | 史常忻 |
| 作者单位： | 上海交通大学应用物理系 |
| 摘 要： | 金属-氧化物-半导体(MOS)系统,它不仅作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在超大规模集成电路中占有主导地位,而且也是半导体器件、材料和工艺方面的重要研究手段之一.故对它的研究日益发展、深入.本文仅从集成电路的角度出发,着重介绍与MOS系统电学特性有关的基础知识,而未涉及工艺制造问题. 一、半导体表面空间电荷区1-3] 表面势的存在,由于自由载流子数目偏离平衡值,将使表面层中形成非电中性区,即表面空间电荷区.这里面的载流子分布、电位分布均与体内不同,呈现一系列的表面物理效应.1.平衡态、载流子非简并 这是一种最简… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |