转让90nm DRAM沟槽技术:英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代 |
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引用本文: | 李敏.转让90nm DRAM沟槽技术:英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代[J].电子测试,2006(2):86-86. |
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作者姓名: | 李敏 |
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摘 要: | DRAM在2005年经历价格下跌的寒冬之后,有望在2006年迎来又一个春天.日前,英飞凌与中芯国际就DRAM产品的签署协议,将进一步拓展两者的合作,开始90nm技术的DRAM生产.
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关 键 词: | DRAM 国际 技术 转让 沟槽 协议 |
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