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转让90nm DRAM沟槽技术:英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代
引用本文:李敏.转让90nm DRAM沟槽技术:英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代[J].电子测试,2006(2):86-86.
作者姓名:李敏
摘    要:DRAM在2005年经历价格下跌的寒冬之后,有望在2006年迎来又一个春天.日前,英飞凌与中芯国际就DRAM产品的签署协议,将进一步拓展两者的合作,开始90nm技术的DRAM生产.

关 键 词:DRAM  国际  技术  转让  沟槽  协议
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