| 1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长 |
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| 引用本文： | 牛智川,倪海桥,方志丹,龚政,张石勇,吴东海,孙征,赵欢,彭红玲,韩勤,吴荣汉.1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长[J].半导体学报,2006,27(3). |
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| 作者姓名： | 牛智川 倪海桥 方志丹 龚政 张石勇 吴东海 孙征 赵欢 彭红玲 韩勤 吴荣汉 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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国家科技攻关项目
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.
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| 关 键 词： | 量子点 砷化铟 激光器 quantum dot InAs laser diode 自组织 InGaAs InAs 量子点激光器 分子束 外延生长 Molecular Beam Epitaxy Laser Diode Edge lasers containing layers active layer continuous wave operation best properties atomic force microscopy |
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| Niu Zhichuan,Ni Haiqiao,Fang Zhidan,Gong Zheng,Zhang Shiyong,Wu Donghai,Sun Zheng,Zhao Huan,Peng Hongling,Han Qin,Wu Ronghan.1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(3). |
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| Authors: | Niu Zhichuan Ni Haiqiao Fang Zhidan Gong Zheng Zhang Shiyong Wu Donghai Sun Zheng Zhao Huan Peng Hongling Han Qin Wu Ronghan |
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