| ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 王艳新,张琦锋,孙 晖,常艳玲,吴锦雷. ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究[J]. 中国物理 B, 2008, 17(2): 1141-1144 |
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| 作者姓名： | 王艳新 张琦锋 孙 晖 常艳玲 吴锦雷 |
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| 作者单位： | 纳米器件物理与化学教育部重点实验室， 北京大学信息科学技术学院，北京 100871;纳米器件物理与化学教育部重点实验室， 北京大学信息科学技术学院，北京 100871;纳米器件物理与化学教育部重点实验室， 北京大学信息科学技术学院，北京 100871;纳米器件物理与化学教育部重点实验室， 北京大学信息科学技术学院，北京 100871;纳米器件物理与化学教育部重点实验室， 北京大学信息科学技术学院，北京 100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号：2001CB610503)，国家自然科学基金(批准号：60471007, 50672002)和北京市自然科学基金(批准号：4042017)资助的课题. |
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| 摘 要： | 运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜，并利用肖特基型异质结的发光原理，构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下，观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理.
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| 关 键 词： | ZnO纳米线， 肖特基二极管， 电致发光 |
Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties |
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| Wang Yan-Xin,Zhang Qi-Feng,Sun Hui,Chang Yan-Ling and Wu Jin-Lei. Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties[J]. Chinese Physics B, 2008, 17(2): 1141-1144 |
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| Authors: | Wang Yan-Xin Zhang Qi-Feng Sun Hui Chang Yan-Ling Wu Jin-Lei |
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| Abstract: | A Schottky type light-emitting diode of ZnO nanowire was fabricated based on the principle of luminescence of Schottky barrier heterojunction. Driven by a voltage of above 6 V, an EL spectrum was obtained. The spectrum consisted of two peaks: one is centered at a wavelength of the ultraviolet 392nm, and the other at the visible 525nm. The mechanism of electroluminescence of this device was analyzed according to the rectifying I-V curve and the energy band structure. |
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| Keywords: | ZnO nanowire Schottky type diode electroluminescence |
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