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| 观察单晶缺陷的X射线反射形貌技术 | |
| 引用本文： | 郭常霖.观察单晶缺陷的X射线反射形貌技术[J].物理,1979(5). |
| 作者姓名： | 郭常霖 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 摘 要： | 晶体缺陷对晶体的许多性能有重要影响,因此研究单晶缺陷的数量、分布、性质及其与晶体性能的关系,对有目的地改进晶体质量有较大的意义。在观测晶体缺陷的方法中较常用的是扫描透射形貌术1],然而反射形貌术装置简单,摄照时间较短,有许多优点。特别是有两种情况需要用到反射形貌术:其一是研究半导体外延层和分光晶体表面层的晶体缺陷。在这些晶体中,表面层起重要作用。由于反射法X射线穿透深度较小,一般为几微米,故能在形貌图中出现晶体表面薄层的形貌而不反映厚晶体内部状况;另一种情形是当晶体吸收很大,制备符合透射形貌术要求的薄晶体很… |
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