| 中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究 |
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| 引用本文： | 刘健,王佩璇.中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究[J].发光学报,1998,19(1):50-55. |
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| 作者姓名： | 刘健 王佩璇 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系 |
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| 摘 要： | 用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低
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| 关 键 词： | 中子辐照 光荧光 低温 砷化镓 抗辐照器件 退火 |
PHOTOLUMINESCENCE OF DEFECTS IN NEUTRON IRRADIATED SI GaAs |
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| Liu,Jian,Wang Peixuan.PHOTOLUMINESCENCE OF DEFECTS IN NEUTRON IRRADIATED SI GaAs[J].Chinese Journal of Luminescence,1998,19(1):50-55. |
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| Authors: | Liu Jian Wang Peixuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs neutron irradiation photoluminescence |
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