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Al_xGa_(1-x)P固溶体XPS和AES研究
引用本文:钟战天,邢益荣,涂相征.Al_xGa_(1-x)P固溶体XPS和AES研究[J].物理学报,1985(10).
作者姓名:钟战天  邢益荣  涂相征
作者单位:中国科学院半导体研究所 (钟战天,邢益荣),中国科学院半导体研究所(涂相征)
摘    要:采用XPS和AES对AI_xGa_(1-x)P(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。

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