| 低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析 |
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| 引用本文： | 安俊明,李健,郜定山 夏君磊,李建光,王红杰,胡雄伟.低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析[J].光电子．激光,2004,15(Z1):183-185. |
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| 作者姓名： | 安俊明 李健 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;内蒙古大学物理系,010021
2. 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(G2000036602)、国家高技术研究发展计划(2002AA312260)和国家自然科学基金(69889701)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表明,侧向硅层的存在可平衡硅基二氧化波导在水平方向与垂直方向的应力,减小这两个方向上的应力差,有助于减小硅基二氧化硅光波导的应力双折射.
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| 关 键 词： | 硅基二氧化硅 光波导 制备工艺 应力 双折射 数值分析 |
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