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坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究
引用本文:史宏声,任国浩,仲维卓. 坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 301-304
作者姓名:史宏声  任国浩  仲维卓
作者单位:中国计量学院,杭州,310018;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
摘    要:本文用坩埚下降法自发成核的方法生长了钨酸铋钠NaBi(WO4)2晶体,得到了尺寸达18×18 × 52 mm3的透明晶体.研究了该晶体的生长面,发现晶体的生长面以(001)面为主,并运用布拉维(Bravais)法则和负离子配位多面体生长基元理论对这一现象进行了分析.

关 键 词:NaBi(WO4)2晶体  自发成核  生长面
文章编号:1000-985X(2008)02-0301-04
修稿时间:2007-08-22

Growth of NaBi ( WO4 )2 Crystal and Study of the Growth Face
SHI Hong-sheng,REN Guo-hao,ZHONG Wei-zhuo. Growth of NaBi ( WO4 )2 Crystal and Study of the Growth Face[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 301-304
Authors:SHI Hong-sheng  REN Guo-hao  ZHONG Wei-zhuo
Abstract:
Keywords:
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