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基于相位偏移干涉术的薄膜厚度测量方法
引用本文:石一磊,苏俊宏,杨利红,徐均琪.基于相位偏移干涉术的薄膜厚度测量方法[J].运筹学学报,2010,30(1):76-79.
作者姓名:石一磊  苏俊宏  杨利红  徐均琪
作者单位:西安工业大学光电工程学院, 陕西西安710032
摘    要:为解决薄膜厚度的高精度测量问题,提出一种基于相位偏移干涉术的薄膜厚度测量新方法,利用该方法对一个实际SiO2薄膜样片进行测试,通过对所获取的干涉图进行相位解包及数据分析处理,实现对薄膜样片厚度的精确测试。结果表明:该方法具有非接触和测量精度高等优点,所测薄膜厚度的峰谷值为0.162μm,均方根值为0.043μm,为薄膜工艺的进一步研究提供了检测方法上的技术保障。

关 键 词:相位偏移干涉法  干涉图  薄膜  薄膜厚度测量

Measuring thin-film thickness with phase-shift interferometry
SHI Yi-lei,SU Jun-hong,YANG Li-hong,XU Jun-qi.Measuring thin-film thickness with phase-shift interferometry[J].OR Transactions,2010,30(1):76-79.
Authors:SHI Yi-lei  SU Jun-hong  YANG Li-hong  XU Jun-qi
Abstract:
Keywords:phase-shift interferometry  interferogram  thin-film  measurement of thin-film thickness
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