| 多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究 |
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| 引用本文： | 潘美军,史伟民,雷平水,李莹,郭燕明.多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究[J].人工晶体学报,2004,33(1):109-113. |
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| 作者姓名： | 潘美军 史伟民 雷平水 李莹 郭燕明 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海,201800 |
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| 摘 要： | 采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.
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| 关 键 词： | 碘化汞 多晶 厚膜 物理气相沉积 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)01-0109-05 |
Growth and Characterization of Polycrystalline Mercuric Iodide Thick Films |
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| PAN Mei-jun,SHI Wei-min,LEI Ping-shui,LI Ying,Guo Yan-ming.Growth and Characterization of Polycrystalline Mercuric Iodide Thick Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(1):109-113. |
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| Authors: | PAN Mei-jun SHI Wei-min LEI Ping-shui LI Ying Guo Yan-ming |
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| Keywords: | mercuric iodide polycrystalline thick film PVD |
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