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Bi80+辐射复合过程的计算
引用本文:曾思良,逄锦桥,李萍,李月明,颜君,王建国. Bi80+辐射复合过程的计算[J]. 物理学报, 2005, 54(6)
作者姓名:曾思良  逄锦桥  李萍  李月明  颜君  王建国
摘    要:基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi80+的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性;考察了多极效应、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响;计算了Bi80+离子在电离阈值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数,考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影响,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比.

关 键 词:多极计算  辐射复合  光电离

Radiative recombination processes of Bi80+
Zeng Si-Liang,PANG Jin-qiao,Li Ping,LI Yue-ming,Yan Jun,Wang Jian-Guo. Radiative recombination processes of Bi80+[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(6)
Authors:Zeng Si-Liang  PANG Jin-qiao  Li Ping  LI Yue-ming  Yan Jun  Wang Jian-Guo
Abstract:
Keywords:
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